플라즈마
저온플라즈마 기술은 건식공정으로 간단할 뿐만 아니라,
초기 투자비용 저렴, 설치부지 감소,
기존 설비에 적용 용이
생성된 부산물(질소가스)의 농업용 비료로 재이용 등 장점.
저온 플라즈마의 가스온도는 배출가스의 온도이며, 전자의 온도만 높기 때문에 고온을 적용할 수 없는 재료
2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의
중력을 구하기 위해서 아이언 맨의 질량을 구할 필요
최소 추진 속력
밀도가 1019 #/m3 일때 약 600km/s 로 추진된다.
실제 추진체의 추진속력 100km/s
대기압에서 플라즈마의 밀도를 1019 #/m3 정도 만들 수 있다.
최소 추진 속력
자기장 1T , 전기장 641 kV/m, 전압 32kV
플라즈마 토치 장치
-화학 기상 증착법(CVD)
저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법
물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법
-At